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DMN6140L-7  与  BSS670S2L H6327  区别

型号 DMN6140L-7 BSS670S2L H6327
唯样编号 A3-DMN6140L-7 A-BSS670S2L H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 60 V 140 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 140mΩ@1.8A,10V 650mΩ@270mA,10V
上升时间 - 25ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 2.26nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 600mS
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.3A 540mA
配置 - Single
长度 - 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 24ns
高度 - 1.10mm
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 700mW(Ta) 360mW
典型关闭延迟时间 - 21ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - BSS670S2
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 315pF @ 40V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.6nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 9ns
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6140L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
DMN6140L-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3

¥0.4953 

阶梯数 价格
110: ¥0.4953
500: ¥0.4498
2,500: ¥0.4173
5,000: ¥0.3887
10,000: ¥0.364
18,171 对比
DMN6140LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.6787 

阶梯数 价格
80: ¥0.6787
200: ¥0.5538
1,500: ¥0.5018
3,000: ¥0.4706
9,905 对比
BSS670S2L H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS670S2LH6327XTSA1_2.9mm SOT-23

暂无价格 3,000 对比
DMN6140LQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3

¥1.144 

阶梯数 价格
50: ¥1.144
100: ¥0.792
500: ¥0.7194
1,970 对比
BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS670S2L H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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